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            FT-CZ1806Se

            6英寸半導體級單晶爐

            拉晶過程全程自動化

            在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

            用直拉法生長無位錯單晶的設備。

             

            性能優勢

            設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

            具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

            采用新型隔離閥。

            液面高度監控系統。

            高精度傳動機構。

            雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

             

            如需獲取6寸半導體級單晶爐具體數據,請向漢虹銷售工程師咨詢溝通。

              

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